大家知道，金属氧化物场效应管(MOSFET)具有开关速度快、控制电压低的优点。缺点是导通时电压降稍大，电流、电压容量却不太大。常用的双极型晶体管(即普通的NPN或PNP三极管)却与它的优缺点互易。如果将这两种三极管进行复合，使之在控制时有MOSFET管的优点，导通时具有双极型晶体管的特点，这就是下面向大家介绍的绝缘栅双极晶体管，简称IGBT管。 
    普通IGBT管的简化等效电路如图1所示，符号见图2。其栅极、集电极、发射极分别用G、C、E表示．IGBT管通常用于开关电路，由G极电压正、负来控制。当G极加上正电压时，绝缘栅下形成沟道，为后面的NPN型晶体管基极提供电流，从而使整个IGBT管导通。反之，当G极加负电压时IGBT管关断。IGBT管的伏安特性如图3所示。 
    IGBT管的电参数很多，其主要电参数有集电极一发射极击穿电压Vces、栅-射极最高电压Vge集电极-发射极电压降Vcetyp、连续集电极电流Ic、脉冲集电极电流Icm、最大功耗Pd和最高工作结温等。IGBT管近年来在开关速度与集一射击穿电压有很大突破，目前其开关频率已突破150kHz、集-射击穿电压已超过600V，同时仍保持了IGBT具有较高电流密度的特点，故在大电流高频开关电源领域中，具有用武之地。比如美国IR公司生产的IRG4PC50W型IGBT管，主要用于高频开关电源。电参数见附表，符号见图4。
    日本三菱公司生产的CT60AM-20型IGBT管广泛应用于微波炉、电磁厨具、煮饭厨具、电压谐振变换电路。 
其电路符号见图5，其电参数见附表。

    上述两种型号的IGBT管为TO-247封装，外形就像一只彩电用大功率塑封电源开关管或行输出管。