晶体管BSM181F(C)参数

BSM181F(C)材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：800极限电流Im：34&nbs...

   2008-08-18

晶体管EUM759M33(A)参数

EUM759M33(A)材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：800极限电流Im：18&n...

   2008-08-18

晶体管EFM091,M171(A)参数

EFM091,M171(A)材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：500极限电流Im：26...

   2008-08-18

晶体管EFM091,R,RS,S参数

EFM091,R,RS,S材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：500极限电流Im：13&...

   2008-08-18

晶体管EFM089,R,RS,S参数

EFM089,R,RS,S材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：100极限电流Im：24&...

   2008-08-18

晶体管EFM083,R,RS,S参数

EFM083,R,RS,S材料：FET外形：图用途：MOSFET三相桥组件,极限电压Vm：100极限电流Im：24...

   2008-08-18

晶体管EFM113M7(A)参数

EFM113M7(A)材料：FET外形：图用途：MOSFET三相桥组件,极限电压Vm：400极限电流Im：15&n...

   2008-08-18

晶体管EFM113R-M18(A)参数

EFM113R-M18(A)材料：FET外形：图用途：MOSFET三相桥组件,极限电压Vm：400极限电流Im：15 ...

   2008-08-18

晶体管EFM113,R,RS,S参数

EFM113,R,RS,S材料：FET外形：图用途：MOSFET三相桥组件,极限电压Vm：400极限电流Im：15...

   2008-08-18

晶体管P1086E参数

P1086E材料：P-FET外形：图用途：开关,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流Id...

   2008-08-15

晶体管P1086-18参数

P1086-18材料：P-FET外形：图用途：开关,极限电压Vm：30极限电流Im：10m最大漏极电流...

   2008-08-15

晶体管P1069E参数

P1069E材料：P-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,极限电压Vm：20极限电流Im：5m最...

   2008-08-15

晶体管ITE4340参数

ITE4340材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&nbs...

   2008-08-15

晶体管MEF5105参数

MEF5105材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&nbs...

   2008-08-15

晶体管MEF3071参数

MEF3071材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&nbs...

   2008-08-15

晶体管MEF3070参数

MEF3070材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&nbs...

   2008-08-15

晶体管MEF4416参数

MEF4416材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&nbs...

   2008-08-15

晶体管MEF5563参数

MEF5563材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&nbs...

   2008-08-15

晶体管MEF4393参数

MEF4393材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&nbs...

   2008-08-15

晶体管MEF5558参数

MEF5558材料：N-FET外形：图用途：极限电压Vm：极限电流Im：最大漏极电流Idss：&nbs...

   2008-08-15