图1所示是一种典型的电容耦合电路。该电路内的VT1、VT2是放大管，C1~C3是低频信号耦合电容，Ui是输入信号。Ui经C1耦合到放大管VT1的基极，经其倒相放大后，再利用C2耦合到VT2的基极，利用VT2再次放大，通过C2耦合后得到交流输出信号Uo。电容C1将VT1的基极上的直流电压与信号源进行隔离，而C2将VT1的集电极高直流电位与VT2的基极低电位进行隔离，但它们对于低频交流信号几乎是导线，所以低频信号可以顺利通过并被放大器放大。

        提示：由于电容具有隔直流、通交流的特性，所以C1~C3各自的输入端、输出端的信号波形是一样的，也就是说，通过电容耦合的交流信号的相位和频率是不变的。

        注意：由于低频信号放大电路采用的耦合电容多为有极性电解电容，所以安装时要注意电容的极性，正极必须安装在电位高的一侧，否则可能会导致电容损坏，比如C2的正极要接VT1的集电极。