• MIP2E4DMY

    【用 途】电源控制和保护智能电源     【性能参数】   双列直插8脚封装。为功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件IPD。输入电压85V-264V,耐压700V,极限电流1.72A。震荡频率1...

       2008-01-08

  • MIP2E3DMY

    【用 途】电源控制和保护智能电源     【性能参数】   单列直插3脚封装。为功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件IPD。输入电压85V-264V,耐压700V,极限电流1.15A。震荡频率1...

       2008-01-08

  • MIP2C2

    【用 途】电源控制和保护智能电源     【性能参数】   双列直插8脚封装。为功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件IPD。输入电压85V-264V,耐压700V,输出功率7W,震荡频率100K...

       2008-01-08

  • MIP2C10MP

    【用 途】电源控制和保护智能电源     【性能参数】   双列直插8脚封装。为功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件IPD。输入电压85V-264V,耐压700V,极限电流350mA。震荡频率1...

       2008-01-08

  • 晶体二极管的分类

    一、根据构造分类 半导体二极管主要是依靠结而工作的。与结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据结构造面的特点,把晶体二极管分类如下: 点接触型二极管  点接触型二极管是在锗或硅材料的单...

       2008-01-07

  • MIP0255

    【用 途】电源控制/保护电路     【性能参数】   双列直插8脚封装。为功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件IPD。输入电压85V-264V,耐压700V,极限电流280mA。震荡频率130...

       2008-01-07

  • MIP0254

    【用 途】 电源控制/保护电路   【性能 参数】  双列直插8脚封装。为功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件IPD。输入电压85V-264V,输出功率0-5.0W,耐压700V,极限电流255mA。震荡频率44KHz...

       2008-01-07

  • MIP0253

    【用 途】电源控制/保护电路     【性能参数】   双列直插8脚封装。为功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件IPD。输入电压85V-264V,输出功率0-1.7W,耐压700V,极限电流15...

       2008-01-07

  • STR-M6821

    【用 途】 厚膜开关电源稳压电路   【性能 参数】  单排双列7脚封装。内设有独立的振荡、过流、过压和过温度保护电路,使得由其构成的开关电源电路的外围电路十分简洁。...

       2008-01-07

  • EMO1Z

    【用 途】开关二极管     【性能参数】   硅250V1A10μs...

       2008-01-07

  • BV407

    【用 途】整流二极管     【性能参数】   硅600V2A10μs...

       2008-01-07

  • BV206

    【用 途】整流二极管     【性能参数】   硅300V2A10μs...

       2008-01-07

  • BAl59

    【用 途】整流二极管     【性能参数】   硅1000V1A10μs...

       2008-01-07

  • BAl57

    【用 途】整流二极管     【性能参数】   硅400V1A10μs...

       2008-01-07

  • 1S1642

    【用 途】整流二极管     【性能参数】   硅200V0.5A10μs...

       2008-01-07

  • 快速判断光电耦合器的好坏

    根据本人多年的实践经验,在快速检修光电耦合器时,可以简化文中所述的“外接3V电源、限流电阻、可调电位器”,采用两块万用表即可直接判别“光耦”的好坏。利用该方法还可在线路板上粗测“光耦”是否损坏,非常方便实用。现把“快速判别光电耦合...

       2008-01-06

  • 1S1642

    【用 途】整流二极管     【性能参数】   硅200V0.5A10μs...

       2008-01-05

  • AT91FR40162-CI

    【用 途】 大容量Flash型ARM核微控制器   【性能 参数】   它具有ARM7TDMI核、大容量Flash存储器以及片内SRAM和外围。这种微控制器的特点是高性能--32位RISC体系结构、高密度-...

       2008-01-05

  • 精密可调基准电压发生器

    ...

       2008-01-04

  • CS5368

    [日期:2008-01-03] [字体:大中小]      【用 途】高速TDM接口的8轨音频AD转换器     【性能参数】   支...

       2008-01-04