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表格说明:(1)表中Vxs (max)表示漏源极击穿电压，ID(max)表示漏源极最大直流电流，PD(max)(W)表示环境温度为25°C时的最大耗散功率，VGS(max)表示加在栅源极的最大电压，RDS(on)(tp)表示在外...
景然 2022-01-29
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IRFU020 金属氧化物场效应管，其采用TO-251封装工艺。 材料：N-FET 用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm：50V 极限电流Im：15A 耗散功率P：42W 导通电...
中华维修整理 2020-09-08
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BUZ91A是一个大功率场效应管，其漏源击穿电压Vvrds=900V、漏极电流Id=5A、漏极最大耗散功率25W，所以BUZ91A可以用2SK10、IXGH10N100、MTM6N90、MTM8N90等直接代换。 ...
voyager整理 2019-07-01
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2SK1198是一款VMOS场效应管，电源开关管，其参数为BVDss：800V；Ids：3A；ID：6A；PD：90W。用500型万用表测其正常极间电阻为：G极(栅极)对D(漏极)、S极(源极)正反向电阻均为无穷大，红表笔接D极、...
佚名 2019-06-30
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概述：BUZ90A是一款大功率增强型N沟道V-MOS场效应管，其主要参数源、漏极间最大电压Vgss=900V、漏极电流Idss=8A、最大功率Pdm=120W。BUZ90A可用BUZ91A、MTM8N90、IXGH15N100、2SK794等场效应来直接代换。 ...
张磊整理 2019-06-28
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