晶体管2N7055参数

2N7055材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：28...

   2008-07-17

晶体管2N7057参数

2N7057材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im：13...

   2008-07-17

晶体管BUZ310参数

BUZ310材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电流Im：2...

   2008-07-17

晶体管BUZ323参数

BUZ323材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im：13...

   2008-07-17

晶体管BUZ325参数

BUZ325材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im：12...

   2008-07-17

晶体管BUZ326参数

BUZ326材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im：10...

   2008-07-17

晶体管BUZ330参数

BUZ330材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im：9....

   2008-07-17

晶体管BUZ331参数

BUZ331材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im：8&...

   2008-07-17

晶体管DP1003参数

DP1003材料：P-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：30极限电流Im：7m最大漏极电流Id...

   2008-07-17

晶体管DP1004参数

DP1004材料：P-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：30极限电流Im：7m最大漏极电流Id...

   2008-07-16

晶体管DP1002参数

DP1002材料：P-FET外形：图用途：配对管,极限电压Vm：30极限电流Im：7m最大漏极电流Id...

   2008-07-16

晶体管CP601参数

CP601材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,极限电压Vm：30极限电流Im：180m ...

   2008-07-16

晶体管CP602参数

CP602材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,极限电压Vm：20极限电流Im：300m ...

   2008-07-16

晶体管CP600参数

CP600材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,极限电压Vm：20极限电流Im：180m ...

   2008-07-16

晶体管CP603参数

CP603材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,极限电压Vm：30极限电流Im：300m ...

   2008-07-16

晶体管SU2037参数

SU2037材料：N-FET外形：图用途：功率放大,音频（低频）,开关,极限电压Vm：100极限电流Im：&nbs...

   2008-07-16

晶体管C3T225参数

C3T225材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：20m&nb...

   2008-07-16

晶体管C3T225A参数

C3T225A材料：外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限电流Im：20m&...

   2008-07-16

晶体管TIS148参数

TIS148材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：30极限电流Im：20m最大漏极电流...

   2008-07-16

晶体管TIS153参数

TIS153材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：30极限电流Im：15m最大漏极电流...

   2008-07-16