肖特基二极管是一种大电流、低功耗、超高半导体器件，其反向恢复时间可缩短到几纳秒，正向导通压降多不足0.4V。肖特基二极管的实物、内部构成、内部电路如图1所示。

         肖特基二极管在结构原理上与普通二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)、 N-外延层(砷材料)、N型基片、N+阴极层及阴极金属等构成的。二氧化硅用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒。当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度变窄，其内阻变小;加负偏压-E时，势垒宽度增加，其内阻变大。