晶体管LM099参数

LM099材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：500极限电流Im：13最大漏...

   2017-05-16

晶体管LM122参数

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晶体管TM099M62参数

TM099M62材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：500极限电流Im：39...

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晶体管2N7086参数

2N7086材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：14...

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晶体管2N7089参数

2N7089材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：10...

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晶体管MHT12P10HX(A)参数

MHT12P10HX(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

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晶体管MHT晶体管2N80HXV(A)参数

MHT2N80HXV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限...

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晶体管MHR5N100H-X(A)参数

MHR5N100H-X(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000...

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晶体管MHR5N100H-XV(A)参数

MHR5N100H-XV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000 ...

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晶体管MHR8晶体管P20(A)参数

MHR8P20(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流I...

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晶体管MHR8晶体管P20HX(A)参数

MHR8P20HX(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电...

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晶体管MHR8晶体管P20HXV(A)参数

MHR8P20HXV(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

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晶体管MHT10P10(A)参数

MHT10P10(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流...

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晶体管MHT10P10HX(A)参数

MHT10P10HX(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

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晶体管MHT12P10(A)参数

MHT12P10(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流...

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晶体管MHT12P10H-XV(A)参数

MHT12P10H-XV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

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晶体管MHT18N20(A)参数

MHT18N20(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流...

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晶体管MHR35N10H-XV(A)参数

MHR35N10H-XV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100...

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晶体管MHT晶体管2N80HX(A)参数

MHT2N80HX(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电...

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晶体管MHR35N10H-X(A)参数

MHR35N10H-X(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极...

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